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→Introduction
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=== Comment cela fonctionne ===
=== Comment cela fonctionne ===
[[Fichier:TheHallEffect.jpg]]
[[Fichier:TheHallEffect.jpg]]
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La tension de Hall peut être calculée comme VHall = σB où
* VHall = Champ Electro Magnétique en volts
* σ= Sensibilité en Volts/Gauss
* B= Le champ magnétique appliqué en Gauss
* I= Courant induit (bias current)
Initialement la première utilisation de cette découverte fût axée sur la classification périodique des éléments chimiques. Le développement des semi-conducteurs indium arsenic en 1950 à conduit à la création des premiers instruments à effet Hall utiles. Les senseurs à effet Hall permettait de mesurer des champs magnétiques continu ou static mais nécessitaient que le senseur soit en mouvement. En 1960 la popularisation des semi-conducteurs silicon conduisit à la création des premiers composants combinant un capteur à Effet Hall et un amplificateur opérationnel. Cela produisit ce qui nous appelons classiquement aujourd'hui un Switch Effet Hall à sortie digital (digital output Hall switch).
[[Fichier:HallEffectSwitch.jpg]]
The continuing evolution of Hall transducers technology saw a progression from single element devices to dual
orthogonally arranged elements. This was done to minimize offsets at the Hall voltage terminals. The next pro-
gression brought on the quadratic of 4 element transducers. These used 4 elements orthogonally arranged in a
bridge configuration. All of these silicon sensors were built from bipolar junction semiconductor processes. A
switch to CMOS processes allowed the implementation of chopper stabilization to the amplifier portion of the
circuit. This helped reduce errors by reducing the input offset errors at the op amp. All errors in the circuit non
chopper stabilized circuit result in errors of switch point for the digital or offset and gain errors in the linear out-
put sensors. The current generation of CMOS Hall sensors also include, a scheme that actively switched the
direction of current through the Hall elements. This scheme eliminates the offset errors typical of semiconduc-
tor Hall elements. It also actively compensates for temperature and strain induced offset errors. The overall
effect of active plate switching and chopper stabilization yields Hall-Effect sensors with an order of magnitude
improvement in drift of switch points or gain and offset errors.
Melexis uses the CMOS process exclusively, for best performance and smallest chip size. The developments to
Hall-Effect sensor technology can be credited mostly to the integration of sophisticated signal conditioning cir-
cuits to the Hall IC. Recently Melexis introduced the world’s first programmable linear Hall IC, which offered
a glimpse of future technology. Future sensors will programmable and have integrated microcontroller cores to
make an even “smarter” sensor.
== Montage ==
== Montage ==