Modifications

* I= Courant induit (bias current)

* I= Courant induit (bias current)

Initialement la première utilisation de cette découverte fût axée sur la classification périodique des éléments chimiques. Le développement des semi-conducteurs indium arsenic en 1950 à conduit à la création des premiers instruments à effet Hall utiles. Les senseurs à effet Hall permettait de mesurer des champs magnétiques continu ou static mais nécessitaient que le senseur soit en mouvement. En 1960 la popularisation des semi-conducteurs silicon conduisit à la création des premiers composants combinant un capteur à Effet Hall et un amplificateur opérationnel. Cela produisit ce qui nous appelons classiquement aujourd'hui un Switch Effet Hall à sortie digital (digital output Hall switch).

Initialement la première utilisation de cette découverte fût axée sur la classification périodique des éléments chimiques. Le développement des semi-conducteurs indium arsenic en 1950 à conduit à la création des premiers instruments à effet Hall utiles. Les senseurs à effet Hall permettait de mesurer des champs magnétiques continu ou static mais nécessitaient que le senseur soit en mouvement. En 1960 la popularisation des semi-conducteurs au silicium conduisit à la création des premiers composants combinant un capteur à Effet Hall et un amplificateur opérationnel. Cela produisit ce qui nous appelons classiquement aujourd'hui un Switch Effet Hall à sortie digital (digital output Hall switch).

[[Fichier:HallEffectSwitch.jpg]]

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The continuing evolution of Hall transducers technology saw a progression from single element devices to dual

La constante évolution de la technologie des transducteurs Hall à vus la progression des composants à élément simple vers des composants à doubles éléments orthogonaux. Cela fut réalise pour diminuer la différence de potentiel Hall aux bornes. La progression suivante amena la création des transducteurs quadratique à 4 éléments. Ces 4 éléments sont arrangés orthogonalement dans une configuration de pont (bridge). Tous ces senseurs capteurs au silicium sont créés a partir de jonctions bipolaire.  

orthogonally arranged elements. This was done to minimize offsets at the Hall voltage terminals. The next pro-

 

gression brought on the quadratic of 4 element transducers. These used 4 elements orthogonally arranged in a

Un passage vers une technologie CMOS permit la mise en place d'une stabilisation des vibrations dans la partie amplificatrice du composant. Cela permit de réduire la différence de potentiel d'erreur à l'entrée de l'amplificateur opérationnel. Toutes les erreurs se produisant dans les circuits non stabilisés produit des erreurs d'enclenchement (à la sortie digitale) ou erreur de différence de potentiel ou de gain sir les senseur à sortie linéaire.

bridge configuration. All of these silicon sensors were built from bipolar junction semiconductor processes. A

 

switch to CMOS processes allowed the implementation of chopper stabilization to the amplifier portion of the

La génération de courant dans un senseur CMOS (à effet Hall) inclus également un mécanisme qui dirige activement le courant dans les élément à effet Hall. Ce mécanisme élimine les différences de potentiels parasites (d'erreurs) typique aux éléments des semi-conducteurs à effet Hall.  

circuit. This helped reduce errors by reducing the input offset errors at the op amp. All errors in the circuit non

Il compense également la température et les inductions produites pas les différences de potentiels parasites.

 

put sensors. The current generation of CMOS Hall sensors also include, a scheme that actively switched the

Toutes ces améliorations conduisent à des senseurs à effet Hall fiable. Le futur verra apparaître des senseurs programmable (incluant un micro-controlleur) permettant de créer des senseurs "intelligents".

direction of current through the Hall elements. This scheme eliminates the offset errors typical of semiconduc-

tor Hall elements. It also actively compensates for temperature and strain induced offset errors. The overall

improvement in drift of switch points or gain and offset errors.

Hall-Effect sensor technology can be credited mostly to the integration of sophisticated signal conditioning cir-

cuits to the Hall IC. Recently Melexis introduced the world’s first programmable linear Hall IC, which offered

make an even “smarter” sensor.

== Montage ==

== Montage ==