Différences entre versions de « Spark-Photon-TechInfo »

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|-
 
|-
| Supply Input Voltage ||VIN ||+3.6 ||||+5.5 ||V
+
| Tension d'alimentation ||VIN ||+3.6 ||||+5.5 ||V
 
|-
 
|-
| Supply Input Voltage ||V3V3 ||+3.0 ||+3.3 ||+3.6 ||V
+
| Tension d'alimentation ||V3V3 ||+3.0 ||+3.3 ||+3.6 ||V
 
|-
 
|-
| Supply Output Voltage ||VIN ||||+4.8 ||||V
+
| Alimentation sortie - Tension ||VIN ||||+4.8 ||||V
 
|-
 
|-
| Supply Output Voltage ||V3V3 ||||+3.3 ||||V
+
| Alimentation sortie - Tension ||V3V3 ||||+3.3 ||||V
 
|-
 
|-
| Supply Input Voltage ||VVBAT ||+1.65 ||||+3.6 ||V
+
| Tension d'alimentation ||VVBAT ||+1.65 ||||+3.6 ||V
 
|-
 
|-
| Supply Input Current (VBAT) ||IVBAT ||||||19 ||uA
+
| Courant d'alimentation (VBAT) ||IVBAT ||||||19 ||uA
 
|-
 
|-
| Operating Current (Wi-Fi on) ||IIN avg ||||80 ||100 ||mA
+
| Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé) ||IIN avg ||||80 ||100 ||mA
 
|-
 
|-
| Operating Current (Wi-Fi on) ||IIN pk ||235[1] ||||430[1] ||mA
+
| Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé) ||IIN pk ||235[1] ||||430[1] ||mA
 
|-
 
|-
| Operating Current (Wi-Fi on, w/powersave) ||IIN avg ||||18 ||100[2] ||mA
+
| Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé, avec ''powersave'') ||IIN avg ||||18 ||100[2] ||mA
 
|-
 
|-
| Operating Current (Wi-Fi off) ||IIN avg ||||30 ||40 ||mA
+
| Courant en fonctionnement (Wi-Fi éteint) ||IIN avg ||||30 ||40 ||mA
 
|-
 
|-
| Sleep Current (5V @ VIN) ||IQs ||||1 ||2 ||mA
+
| Courant de veille (5V @ VIN) ||IQs ||||1 ||2 ||mA
 
|-
 
|-
| Deep Sleep Current (5V @ VIN) ||IQds ||||80 ||100 ||uA
+
| Courant en mode hibernation (5V @ VIN)<br />''Deep Sleep'' ||IQds ||||80 ||100 ||uA
 
|-
 
|-
| Operating Temperature ||Top ||-20 ||||+60 ||°C
+
| Température de fonctionnement ||Top ||-20 ||||+60 ||°C
 
|-
 
|-
| Humidity Range Non condensing, relative humidity ||||||||95 ||%
+
| Gamme d'humidité relative sans condensation<br />''Humidity Range Non condensing, relative humidity'' ||||||||95 ||%
 
|}
 
|}
  
 
{{underline|Notes:}}
 
{{underline|Notes:}}
  
[1] These numbers represent the extreme range of short peak current bursts when transmitting and receiving in 802.11b/g/n modes at different power levels. Average TX current consumption in will be 80-100mA.
+
[1] Ces informations représentent la gamme maximale d'une bref appel de courant (pointe de courant) durant l'émission et réception dans les modes 802.11b/g/n a un niveau de puissance différent. La consommation de courant en émission oscille en moyenne autour de 80-100mA.
  
[2] These are very short average current bursts when transmitting and receiving. On average if minimizing frequency of TX/RX events, current consumption in powersave mode will be 18mA
+
[2] Représentent une moyenne des appels de courant lors de la transmission et réception. En moyenne si l'on minimise la fréquence des événements émission/réception, la consommation de courant en mode d'économie d'énergie (''powersave'') est de 18mA
  
 
=== Spécifications WiFi ===
 
=== Spécifications WiFi ===
  
 
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|-
 
|-
 
| WLAN Standards ||IEEE 802 11b/g/n
 
| WLAN Standards ||IEEE 802 11b/g/n
 
|-
 
|-
| Antenna Port ||Single Antenna
+
| Port antenne ||Antenne unique
 
|-
 
|-
| Frequency Band ||2.400 GHz – 2.484 GHz
+
| Bande de fréquence ||2.400 GHz – 2.484 GHz
 
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|-
| Sub Channels ||1 ~ 14
+
| Sous canaux ||1 ~ 14
 
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| Modulation ||DSSS, CCK, OFDM, BPSK, QPSK,16QAM, 64QAM
 
| Modulation ||DSSS, CCK, OFDM, BPSK, QPSK,16QAM, 64QAM
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|-
 
|-
| RF Average Output Power, 802.11b CCK Mode ||1M ||16.5 ||+/- 1.5 ||dBm
+
| Puissance de sortie moyenne RF, 802.11b Mode CCK ||1M ||16.5 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|-
 
|-
 
| ||11M ||16.5 ||+/- 1.5 ||dBm
 
| ||11M ||16.5 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|-
 
|-
| RF Average Output Power, 802.11g OFDM Mode ||6M ||15 ||+/- 1.5 ||dBm
+
| Puissance de sortie moyenne RF, 802.11g Mode OFDM ||6M ||15 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|-
 
|-
 
| ||54M ||13 ||+/- 1.5 ||dBm
 
| ||54M ||13 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|-
 
|-
| RF Average Output Power, 802.11n OFDM Mode ||MCS0 ||14.5 ||+/- 1.5 ||dBm
+
| Puissance de sortie moyenne RF, 802.11n Mode OFDM ||MCS0 ||14.5 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|-
 
|-
 
| ||MCS7 ||12 ||+/- 1.5 ||dBm
 
| ||MCS7 ||12 ||+/- 1.5 ||dBm
 
|}
 
|}
  
=== Caractéristiques I/O ===
+
=== Caractéristiques des entrées/sortie (I/O) ===
  
 
These specifications are based on the STM32F205RG datasheet, with reference to Photon pin nomenclature.
 
These specifications are based on the STM32F205RG datasheet, with reference to Photon pin nomenclature.
  
 
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+
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|-
 
|-
| Standard I/O input low level voltage ||VIL ||||-0.3 ||||0.28*(V3V3-2)+0.8 ||V
+
| Tension d'entrée minimal standard pour un I/O<br />Standard I/O input low level voltage ||VIL ||||-0.3 ||||0.28*(V3V3-2)+0.8 ||V
 
|-
 
|-
| I/O FT[1] input low level voltage ||VIL ||||-0.3 ||||0.32*(V3V3-2)+0.75 ||V
+
| Tension d'entrée minimal pour un I/O tolérante à 5V<br />I/O FT[1] input low level voltage ||VIL ||||-0.3 ||||0.32*(V3V3-2)+0.75 ||V
 
|-
 
|-
| Standard I/O input high level voltage ||VIH ||||0.41*(V3V3-2)+1.3 ||||V3V3+0.3 ||V
+
| Tension d'entrée maximale standard pour un I/O<br />Standard I/O input high level voltage ||VIH ||||0.41*(V3V3-2)+1.3 ||||V3V3+0.3 ||V
 
|-
 
|-
| I/O FT[1] input high level voltage ||VIH ||V3V3 > 2V ||0.42*(V3V3-2)+1 ||||5.5 ||V
+
| Tension d'entrée maximale pour un I/O tolérante à 5V<br />I/O FT[1] input high level voltage ||VIH ||V3V3 > 2V ||0.42*(V3V3-2)+1 ||||5.5 ||V
 
|-
 
|-
 
| ||VIH ||V3V3 ≤ 2V ||0.42*(V3V3-2)+1 ||||5.2 ||V
 
| ||VIH ||V3V3 ≤ 2V ||0.42*(V3V3-2)+1 ||||5.2 ||V
 
|-
 
|-
| Standard I/O Schmitt trigger voltage hysteresis[2] ||Vhys ||||200 ||||||mV
+
| Tension d'hystérésis standard du Schmitt trigger sur les I/O[2] ||Vhys ||||200 ||||||mV
 
|-
 
|-
| I/O FT Schmitt trigger voltage hysteresis[2] ||Vhys ||||5% V3V3[3] ||||||mV
+
| Tension d'hystérésis standard du Schmitt trigger sur les I/O tolérante à 5V<br />I/O FT Schmitt trigger voltage hysteresis[2] ||Vhys ||||5% V3V3[3] ||||||mV
 
|-
 
|-
| Input leakage current[4] ||Ilkg ||GND ≤ Vio ≤ V3V3 GPIOs ||||||±1 ||µA
+
| Courant de perte d'entrée<br />Input leakage current[4] ||Ilkg ||GND ≤ Vio ≤ V3V3 GPIOs ||||||±1 ||µA
 
|-
 
|-
| Input leakage current[4] ||Ilkg ||RPU ||Vio = 5V, I/O FT ||||3 ||µA
+
| Courant de perte d'entrée<br />Input leakage current[4] ||Ilkg ||RPU ||Vio = 5V, I/O FT ||||3 ||µA
 
|-
 
|-
| Weak pull-up equivalent resistor[5] ||RPU ||Vio = GND ||30 ||40 ||50 ||k Ω
+
| Résistance pull-up équivalente<br />Weak pull-up equivalent resistor[5] ||RPU ||Vio = GND ||30 ||40 ||50 ||k Ω
 
|-
 
|-
| Weak pull-down equivalent resistor[5] ||RPD ||Vio = V3V3 ||30 ||40 ||50 ||k Ω
+
| Résistance pull-down équivalente<br />Weak pull-down equivalent resistor[5] ||RPD ||Vio = V3V3 ||30 ||40 ||50 ||k Ω
 
|-
 
|-
| I/O pin capacitance ||CIO ||||||5 ||||pF
+
| Capacitance d'une broche I/O ||CIO ||||||5 ||||pF
 
|}
 
|}
  
 
{{underline|Notes:}}
 
{{underline|Notes:}}
  
[1] FT = Five-volt tolerant. In order to sustain a voltage higher than V3V3+0.3 the internal pull-up/pull-down resistors must be disabled.
+
[1] FT = ''Five-volt tolerant'' Tolérant 5 volts. '''La résistance pull-up interne doit être désactivée''' de manière a pouvoir supporter une tension d'entrée supérieure à V3V3+0.3.
  
[2] Hysteresis voltage between Schmitt trigger switching levels. Based on characterization, not tested in production.
+
[2] Tension d'hystéresis entre les niveaux de basculement du trigger de Schmitt. Basé sur les caractéristiques, non testé en production.
  
[3] With a minimum of 100mV.
+
[3] Avec un minimum de 100mV.
  
[4] Leakage could be higher than max. if negative current is injected on adjacent pins.
+
[4] La perte (''Leakage'') peut être plus grande que le maximum si un courant négatif est injecté sur la broche adjacente.
  
[5] Pull-up and pull-down resistors are designed with a true resistance in series with switchable PMOS/NMOS. This PMOS/NMOS contribution to the series resistance is minimum (~10% order).
+
[5] Les résistances Pull-up et pull-down sont conçue avec de vraies résistance en série avec un PMOS/NMOS activable. La contribution du PMOS/NMOS à la résistance série est minimaliste (de l'ordre de ~10%).
  
 
== Diagrammes ==
 
== Diagrammes ==

Version actuelle datée du 4 juillet 2015 à 14:53


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Spécifications techniques

Valeurs maximales absolues

Paramètre Symbole Min Typ Max Unité
Tension de la source d'alimentation VIN-MAX +6.5 V
Sortie alimentation - courant IIN-MAX-L 1 A
Sortie alimentation - courant I3V3-MAX-L 100 mA
Température de stockage Tstg -40 +85 °C
Tension d'activation
Enable Voltage
VEN VIN+0.6 V
ESD Susceptibility HBM (Human Body Mode) VESD 2 kV

Conditions de fonctionnement recommandées

Paramètre Symbole Min Typ Max Unité
Tension d'alimentation VIN +3.6 +5.5 V
Tension d'alimentation V3V3 +3.0 +3.3 +3.6 V
Alimentation sortie - Tension VIN +4.8 V
Alimentation sortie - Tension V3V3 +3.3 V
Tension d'alimentation VVBAT +1.65 +3.6 V
Courant d'alimentation (VBAT) IVBAT 19 uA
Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé) IIN avg 80 100 mA
Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé) IIN pk 235[1] 430[1] mA
Courant en fonctionnement (Wi-Fi activé, avec powersave) IIN avg 18 100[2] mA
Courant en fonctionnement (Wi-Fi éteint) IIN avg 30 40 mA
Courant de veille (5V @ VIN) IQs 1 2 mA
Courant en mode hibernation (5V @ VIN)
Deep Sleep
IQds 80 100 uA
Température de fonctionnement Top -20 +60 °C
Gamme d'humidité relative sans condensation
Humidity Range Non condensing, relative humidity
95 %

Notes:

[1] Ces informations représentent la gamme maximale d'une bref appel de courant (pointe de courant) durant l'émission et réception dans les modes 802.11b/g/n a un niveau de puissance différent. La consommation de courant en émission oscille en moyenne autour de 80-100mA.

[2] Représentent une moyenne des appels de courant lors de la transmission et réception. En moyenne si l'on minimise la fréquence des événements émission/réception, la consommation de courant en mode d'économie d'énergie (powersave) est de 18mA

Spécifications WiFi

Caractéristique Description
WLAN Standards IEEE 802 11b/g/n
Port antenne Antenne unique
Bande de fréquence 2.400 GHz – 2.484 GHz
Sous canaux 1 ~ 14
Modulation DSSS, CCK, OFDM, BPSK, QPSK,16QAM, 64QAM
Puissance de sortie du module Wi-Fi PØ ' Typ. Tol. Unité
Puissance de sortie moyenne RF, 802.11b Mode CCK 1M 16.5 +/- 1.5 dBm
11M 16.5 +/- 1.5 dBm
Puissance de sortie moyenne RF, 802.11g Mode OFDM 6M 15 +/- 1.5 dBm
54M 13 +/- 1.5 dBm
Puissance de sortie moyenne RF, 802.11n Mode OFDM MCS0 14.5 +/- 1.5 dBm
MCS7 12 +/- 1.5 dBm

Caractéristiques des entrées/sortie (I/O)

These specifications are based on the STM32F205RG datasheet, with reference to Photon pin nomenclature.

Paramètre Symbole Conditions Min Typ Max Unité
Tension d'entrée minimal standard pour un I/O
Standard I/O input low level voltage
VIL -0.3 0.28*(V3V3-2)+0.8 V
Tension d'entrée minimal pour un I/O tolérante à 5V
I/O FT[1] input low level voltage
VIL -0.3 0.32*(V3V3-2)+0.75 V
Tension d'entrée maximale standard pour un I/O
Standard I/O input high level voltage
VIH 0.41*(V3V3-2)+1.3 V3V3+0.3 V
Tension d'entrée maximale pour un I/O tolérante à 5V
I/O FT[1] input high level voltage
VIH V3V3 > 2V 0.42*(V3V3-2)+1 5.5 V
VIH V3V3 ≤ 2V 0.42*(V3V3-2)+1 5.2 V
Tension d'hystérésis standard du Schmitt trigger sur les I/O[2] Vhys 200 mV
Tension d'hystérésis standard du Schmitt trigger sur les I/O tolérante à 5V
I/O FT Schmitt trigger voltage hysteresis[2]
Vhys 5% V3V3[3] mV
Courant de perte d'entrée
Input leakage current[4]
Ilkg GND ≤ Vio ≤ V3V3 GPIOs ±1 µA
Courant de perte d'entrée
Input leakage current[4]
Ilkg RPU Vio = 5V, I/O FT 3 µA
Résistance pull-up équivalente
Weak pull-up equivalent resistor[5]
RPU Vio = GND 30 40 50 k Ω
Résistance pull-down équivalente
Weak pull-down equivalent resistor[5]
RPD Vio = V3V3 30 40 50 k Ω
Capacitance d'une broche I/O CIO 5 pF

Notes:

[1] FT = Five-volt tolerant Tolérant 5 volts. La résistance pull-up interne doit être désactivée de manière a pouvoir supporter une tension d'entrée supérieure à V3V3+0.3.

[2] Tension d'hystéresis entre les niveaux de basculement du trigger de Schmitt. Basé sur les caractéristiques, non testé en production.

[3] Avec un minimum de 100mV.

[4] La perte (Leakage) peut être plus grande que le maximum si un courant négatif est injecté sur la broche adjacente.

[5] Les résistances Pull-up et pull-down sont conçue avec de vraies résistance en série avec un PMOS/NMOS activable. La contribution du PMOS/NMOS à la résistance série est minimaliste (de l'ordre de ~10%).

Diagrammes

USB

Spark-Photon-TechInfo-Diagramme-USB.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

Alimentation

Spark-Photon-TechInfo-Diagramme-Alimentation.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

Broches I/O

Spark-Photon-TechInfo-Diagramme-BrochesIO.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

RF

Spark-Photon-TechInfo-Diagramme-RF.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

Module Wi-Fi PØ

Spark-Photon-TechInfo-Diagramme-P0.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

Spécification mécaniques

Rendez-vous sur cette page de Particle.IO pour localiser les spécifications suivantes:

  • Dimensions et poids
  • Accouplement des connecteurs
  • Recommandation des patrons pour vos PCB
  • Layout du Photon
  • Recommandation concernant la soudure par flux
  • Liste du matériel
  • Précaution ESD
  • Sensibilité à l'humidité

Certifications

Spark-Photon-TechInfo-Certification.png
Crédit: Particle.IO www.particle.io

  • RoHS
  • CE
  • FCC ID: 2AEMI-PHOTON
  • IC: 20127-PHOTON

Source: Particle Photon Hardware créé par Particle.IO.

Traduction réalisée par Meurisse D pour MCHobby.be - Translated by Meurisse D. for MCHobby.be

Traduit avec l'autorisation de Particle.IO - Translated with the permission from Particle.IO - Particle.IO

Toute référence, mention ou extrait de cette traduction doit être explicitement accompagné du texte suivant : «  Traduction par MCHobby (www.MCHobby.be) - Vente de kit et composants » avec un lien vers la source (donc cette page) et ce quelque soit le média utilisé.

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